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FET符號(hào)(參數(shù)、結(jié)構(gòu)、原理、應(yīng)用電路)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱，縮寫(xiě)為FET。
(資料圖)
FET是一種半導(dǎo)體放大器件，不僅具有體積小、省電耐用的優(yōu)點(diǎn)，還具有輸入阻抗高(10的8次方歐姆)、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、抗輻射能力強(qiáng)、易于集成、無(wú)二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)廣等優(yōu)點(diǎn)。
FET的缺點(diǎn)是容易被靜電高壓擊穿。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管和晶體管的區(qū)別
三極管的載流子是空空穴和電子，所以三極管也叫雙極晶體管。
FET只有空個(gè)空穴或只有電子，所以也叫單極晶體管。
晶體管是電流控制器件，而場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的類型
場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型。
見(jiàn)下文
結(jié)型FET利用溝道兩側(cè)耗盡層的寬度來(lái)改變溝道的電導(dǎo)率，從而控制漏極電流。
絕緣FET利用感應(yīng)電荷量來(lái)改變溝道導(dǎo)電性，從而控制漏極電流。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管物理圖
p溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電路符號(hào)
符號(hào)表示FET的類型，F(xiàn)ET的表示主要包括極性、材料、類型、規(guī)格號(hào)等。
場(chǎng)效應(yīng)管的電路圖形符號(hào)可以表明它的種類。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路圖形符號(hào)的理解和記憶方法
場(chǎng)效應(yīng)友好資源 *** 管理結(jié)構(gòu)
下圖顯示了N溝道結(jié)型FET的結(jié)構(gòu)和工作原理。可以看到它使用的是N型半導(dǎo)體，在其上下兩側(cè)引出一個(gè)電機(jī)，分別叫做漏極D和源極S。在N型半導(dǎo)體的兩側(cè)，設(shè)置一小片P型半導(dǎo)體，將它們連接起來(lái)作為柵極G，這樣在G，S和G，d之間就出現(xiàn)了PN結(jié)。
三種DC偏壓分析如下:
通過(guò)上面的分析，通過(guò)改變G和S之間的反向偏置電壓，可以改變流過(guò)溝道的電流，換句話說(shuō)，柵極電壓可以控制漏極電流。
這說(shuō)明FET是一種電壓控制器件。
下圖是N溝道絕緣柵FET的原理圖。在兩個(gè)N型區(qū)域之間形成N型硅薄層，從而形成N型溝道。在N型溝道上加一層絕緣材料二氧化硅，在絕緣層上加一層鋁層電極作為柵極g。
當(dāng)在G和S之間加一個(gè)電壓時(shí)，G電極的鋁層和P型襯底就像以絕緣層為介質(zhì)的平行板電容器。改變G電極和S電極之間的電壓可以改變N型溝道的電阻。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)
腳資源 *** 管理的封裝形式和管腳分布規(guī)則
場(chǎng)效應(yīng)晶體管電路的例子
場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)電源電路開(kāi)關(guān)振蕩電路中的應(yīng)用
集成電路U101中的振蕩器開(kāi)始振蕩，為場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q101的柵極G提供振蕩信號(hào)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)始振蕩，使得開(kāi)關(guān)變壓器T101的初級(jí)線圈產(chǎn)生開(kāi)關(guān)電流，開(kāi)關(guān)變壓器的次級(jí)線圈產(chǎn)生感應(yīng)電流。3腳的輸出經(jīng)過(guò)整流濾波后形成正反饋電壓，施加到U101的7腳，從而維持振蕩電路的工作，使開(kāi)關(guān)電源進(jìn)入正常工作狀態(tài)。該電路中用FET作為悠游資源網(wǎng)的脈沖放大器件，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)振蕩的功能。
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