與CPU等邏輯芯片直接使用準確的工藝不同，內(nèi)存芯片在20nm之后就變得模糊了，廠商稱之為10nm級工藝，實際上會用1X、1Y、1Znm來替代。

1X、1Y、1Znm到底是什么工藝?三星、SK海力士及美光三大內(nèi)存巨頭之前一直不肯明確，按照業(yè)界的分析，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。

在1X、1Y、1Znm之后，還會有1αnm、1βnm、1γnm三種工藝，三星今年下半年量產(chǎn)1αnm工藝的內(nèi)存。

值得一提的是，在最新的公告中，三星也首次明確了1αnm的具體水平，那就是14nm工藝，這還是三家廠商中首個改變內(nèi)存工藝定義的。

至于三星為什么要打破常規(guī)，很有可能跟1αnm內(nèi)存工藝進度落后有關，今年1月份美光就宣布量產(chǎn)1αnm工藝內(nèi)存芯片了，三星晚了幾個月，現(xiàn)在透明化具體工藝，也有將美光一軍的意味，因為三星早前就懷疑美光的1αnm工藝并不是真正的1αnm，就看美光是否接招了。

關鍵詞： 三星 內(nèi)存

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