今年底，Intel Alder Lake 12代酷睿平臺將會首發(fā)支持DDR5內(nèi)存，因此，2021年將成為DDR5內(nèi)存啟動的元年。

這段時間，DDR5領域開始異常活躍，從顆粒廠商到模組廠商都在積極備戰(zhàn)，加速研發(fā)新產(chǎn)品，各大主板廠商也紛紛投身其中。

國產(chǎn)存儲品牌朗科科技日前宣布，DDR5內(nèi)存已經(jīng)進入研發(fā)階段，來自美光的首批DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒已抵達研發(fā)總部。

最新消息稱，朗科已經(jīng)完成自產(chǎn)DDR5內(nèi)存模組階段，正在與華碩、微星等主板廠商合作驗證兼容性測試，進展順利，已成功開機并運行至操作系統(tǒng)。

據(jù)悉，朗科DDR5內(nèi)存模組單根、單面規(guī)格容量為16GB，時序40-40-40，標準頻率4800MHz，電壓1.1V，采用美光的R5顆粒，編號為Z9ZSB ES，搭配最新黑板PCB，板號為KO-8802A-5。

這一顆粒采用1znm工藝制造，F(xiàn)BGA 82-ball封裝，長寬尺寸分別為11×9毫米。

朗科還宣稱，將會投入研發(fā)頻率達到甚至超過10GHz的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，這也將是內(nèi)存歷史上第一次跨越10GHz大關。

關鍵詞： 朗科 內(nèi)存

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