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英特爾公布半導(dǎo)體制造晶體管新方法:將使下一輪處理器性能提高20%

英特爾周四公布了一種在半導(dǎo)體上制造晶體管的新方法,該公司首席設(shè)計師表示,這一新的方法將使英特爾下一輪處理器的性能提高20%。

英特爾是全球上為數(shù)不多的自己設(shè)計同時還制造芯片的公司之一。不過,該公司上個月表示,其7nm芯片技術(shù)的進(jìn)度較原計劃晚了 6 個月,主要由于該工藝中存在“缺陷”,導(dǎo)致良率受到影響。

周四,英特爾(Intel)披露了其將改進(jìn)現(xiàn)有10nm處理器節(jié)點,該公司宣布了一種制造 被稱為“ SuperFin ”技術(shù)晶體管的新方法,這種方法連同一種用于改進(jìn)芯片電容器的新材料,有望提高英特爾即將推出的處理器的性能,盡管它們?nèi)栽?0nm的生產(chǎn)線上生產(chǎn)。

英特爾首席架構(gòu)師Raja Koduri稱,即使有了新的晶體管技術(shù),英特爾也已重新設(shè)計其芯片設(shè)計流程,使其能夠更方便地使用自己的芯片工廠或外部芯片工廠。

他表示:“無論如何,只要能讓我們按時交付這些產(chǎn)品,憑借領(lǐng)先的表現(xiàn),我們就擁有靈活性,并將利用這一點。”

關(guān)鍵詞: 英特爾 半導(dǎo)體 晶體管

責(zé)任編輯:Rex_07

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