國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際昨晚發(fā)布了2019年報(bào)，營(yíng)收31.16億美元，公司擁有人應(yīng)占利潤(rùn)為2.347億美元，同比增長(zhǎng)75%。

中芯國(guó)際還提到14nm工藝在去年底量產(chǎn)，并貢獻(xiàn)了1%的營(yíng)收。先進(jìn)工藝正是中芯國(guó)際今年發(fā)展的重點(diǎn)，目前公司已經(jīng)開發(fā)了14/12nm多種特色工藝平臺(tái)。

量產(chǎn)的14nm工藝已經(jīng)可以滿足國(guó)內(nèi)95%的芯片生產(chǎn)，根據(jù)之前的消息，中芯國(guó)際的14nm產(chǎn)能年底將達(dá)到15K晶圓/月，之后就不會(huì)大幅增長(zhǎng)了，重點(diǎn)會(huì)轉(zhuǎn)向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝。

之前中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士首次公開了中芯國(guó)際N+1、N+2代工藝的情況，透露N+1工藝相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

外界認(rèn)為中芯國(guó)際的N+1代工藝相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm工藝，不過中芯國(guó)際隨后澄清說，N+1是中芯國(guó)際的內(nèi)部代號(hào)，并不等于7nm。

根據(jù)這個(gè)信息，N+1工藝跟業(yè)界公認(rèn)的7nm工藝主要差距是性能，20%的性能增幅不如業(yè)界的35%性能提升，但其他指標(biāo)差別不大。

在最新的年報(bào)會(huì)議上，中芯國(guó)際表示N+1工藝的研發(fā)進(jìn)程穩(wěn)定，已進(jìn)入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認(rèn)證階段。之前該公司表示去年底試產(chǎn)了N+1工藝，今年底會(huì)有限量產(chǎn)N+1工藝。

總之，即便中芯國(guó)際的N+1工藝在性能上還有一定差距，但是國(guó)產(chǎn)的7nm級(jí)工藝今年底就會(huì)問世了，這依然是一件大事。

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